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电机mos,12a900v场效应管,to247封装,KNM6390A参数-KIA MOS管
KNM6390A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流12A，采用高级平面工艺制造，?低导通电阻RDS（ON）0.75Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗，提高系统效率；具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快，加固多晶硅栅极结构，?稳定可靠；广泛应用...www.kiaic.com/article/detail/5911.html 2025-09-09
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电动车充电拓扑结构,DC-DC拓扑结构-KIA MOS管
LLC转换器在初级端实现了零电压开关（ZVS），同时在谐振频率及以下--在次级端实现了零电流开关（ZCS）从而在谐振频率附近产生了非常高的峰值效率。www.kiaic.com/article/detail/5910.html 2025-09-09
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电动车控制器开关驱动原理,电路图-KIA MOS管
电动车控制器是用来控制电动车电机的启动、运行、进退、速度、停止以及电动车的其它电子器件的核心控制器件。电动车控制器是通过PWM脉宽调制实现电机转速控制。控制器内部包含主芯片和功率变换模块，主芯片接收转把、刹车等输入信号，通过运算生成PWM信号。该信...www.kiaic.com/article/detail/5909.html 2025-09-09
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600v24a mos,to247封装,KLM60R135BD场效应管参数-KIA MOS管
KLM60R135BD场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流24A，采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，提高效率；极低导通电阻RDS（ON）110mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg 46nC，减少开关损耗；具有高耐用性、超快开关速度以及100%雪崩测...www.kiaic.com/article/detail/5908.html 2025-09-05
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电容换算单位,电容换算公式-KIA MOS管
电容的基本度量单位为法拉（F）。因法拉单位量值较大，实际电路中常用更小的衍生单位进行计量：微法（μF)，其与法拉的换算关系为1μF=10-6F；纳法（nF），换算关系为1nF=10-9F；皮法（pF），换算关系为1pF=10-12F。www.kiaic.com/article/detail/5907.html 2025-09-05
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单极型半导体器件是指什么,有哪些?-KIA MOS管
单极型半导体器件是一种主要依靠一种载流子（多数载流子）参与导电的半导体器件。这类器件通过电场效应控制电流，而非双极型器件中电子与空穴同时参与导电机理。www.kiaic.com/article/detail/5906.html 2025-09-05
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60r090mos参数,600v mos管,KLM60R090B场效应管参数-KIA MOS管
KLM60R090B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流38A，是采用多层外延工艺的超结MOS，内阻低、抗冲击能力强，高效低耗；低导通电阻RDS（ON）80mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg 52nC，减少开关损耗、提高系统效率；具有高耐用性、超快开关速...www.kiaic.com/article/detail/5905.html 2025-09-04
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制动控制电路图,制动控制电路原理-KIA MOS管
当按下按钮SB1，接触器KM线圈获电动作，电动机通电，电磁抱闸的线圈YB也通电，铁芯吸引衔铁而吸合，同时衔铁克服弹簧拉力，迫使制动杠杆向上移动，从而使制动器的闸瓦与闸轮松开，电动机正常运转。www.kiaic.com/article/detail/5904.html 2025-09-04
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电路开关符号,电路图开关符号怎么画-KIA MOS管
电路开关符号是在电路图中用来表示不同类型电气开关的图形符号。在电气工程设计和电路布线中，正确理解和使用电气开关符号对于保证电路的可靠性和安全性至关重要。电路图中开关符号的标准表示方法包括单刀单掷（SPST）、单刀双掷（SPDT）等基本类型，其图形符号...www.kiaic.com/article/detail/5903.html 2025-09-04
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音响功放mos管,500v13a,KNF6450B场效应管参数资料-KIA MOS管
音响功放专用场效应管KNF6450B漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω，低导通电阻，最大限度地减少导通损耗；具备快速切换特性，实现快速切换电源，高效率低损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配...www.kiaic.com/article/detail/5462.html 2025-09-03
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适配器充电器mos,500v mos,to220,KNP6450B场效应管-KIA MOS管
KNP6450B场效应漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(on) 0.35Ω，最大限度地减少导通损耗，高效率低损耗，性能优越；具备快速切换特性，实现快速切换电源；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配器和充电...www.kiaic.com/article/detail/5902.html 2025-09-03
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控制器开关驱动电路,电动车控制器mos管-KIA MOS管
当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压（约14V）经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压（Phase）接近电源电压Vdc，所以电容两端的电压随着Phase电压一起浮动，电容C4亦称为自举电容。Q5靠C4两端的电压来维持导通。www.kiaic.com/article/detail/5901.html 2025-09-03
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电动车控制器mos管工作原理-KIA MOS管
MOS管是由栅极、源极和漏极构成的三端器件，通过栅极电压控制源漏极间电流通断。在电动车控制器中多采用N沟道增强型MOS管，其导通电阻低、开关速度快的特点适合高频大电流场景。电动车控制器中的MOS管通过栅极电压控制电流通断，配合PWM信号实现电机调速和电子...www.kiaic.com/article/detail/5900.html 2025-09-03
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60R170,600v22a场效应管,to220封装,KLP60R170B参数-KIA MOS管
KLP60R170B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压600V，漏极电流22A，低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大限度地减少导电损耗，减少功耗提高系统效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能...www.kiaic.com/article/detail/5899.html 2025-09-02